化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料
的高效去除与全局纳米级平坦化，是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。
方案配置:
CDHD 30A HV(400V)+BDHDE Bundle方案
方案特点:
大功率，高精度，高稳定性，速度平稳，无波动，匹配性良好，支持第三方电机
